Tehokkaan piikarbididiodin vaikutus PIN-valotunnistimeen
Tehokas piikarbidi-PIN-diodi on aina ollut yksi teholaitteiden tutkimuksen hotspoteista.PIN-diodi on kidediodi, joka on rakennettu kerrostamalla sisäinen puolijohde (tai puolijohde, jossa on alhainen pitoisuus epäpuhtauksia) P+-alueen ja n+-alueen väliin.i in PIN on englanninkielinen lyhenne sanan "intrinsic" merkityksestä, koska on mahdotonta olla olemassa puhdasta puolijohdetta ilman epäpuhtauksia, joten sovelluksen PIN-diodin I-kerros on enemmän tai vähemmän sekoittunut pieneen määrään P:tä. -tyypin tai N-tyypin epäpuhtaudet.Tällä hetkellä piikarbidi-PIN-diodi käyttää pääasiassa Mesa-rakennetta ja tasorakennetta.
Kun PIN-diodin toimintataajuus ylittää 100 MHz, johtuen muutaman kantoaallon tallennusvaikutuksesta ja kerroksen I siirtoaikavaikutuksesta, diodi menettää tasasuuntausvaikutuksen ja muuttuu impedanssielementiksi ja sen impedanssiarvo muuttuu bias-jännitteen mukana.Nollabiasilla tai DC-käänteisellä biasilla impedanssi I-alueella on erittäin korkea.DC myötäsuuntaisessa biasissa I-alueella on matala impedanssitila kantoaallon ruiskutuksen vuoksi.Siksi PIN-diodia voidaan käyttää säädettävänä impedanssielementtinä, mikroaalto- ja RF-ohjauksen alalla, usein on tarpeen käyttää kytkinlaitteita signaalin kytkemisen saavuttamiseksi, erityisesti joissakin suurtaajuisissa signaalinohjauskeskuksissa, PIN-diodeissa on ylivoimainen. RF-signaalin ohjausominaisuudet, mutta myös laajalti käytetty vaihesiirto-, modulaatio-, rajoitus- ja muissa piireissä.
Suuritehoista piikarbididiodia käytetään laajalti tehokentässä ylivoimaisten jännitevastusominaisuuksiensa vuoksi, ja sitä käytetään pääasiassa suuritehoisena tasasuuntaajana.PIN-diodilla on korkea käänteinen kriittinen läpilyöntijännite VB, koska keskellä on matala doping i -kerros, joka kantaa pääjännitehäviön.Vyöhykkeen I paksuuden lisääminen ja vyöhykkeen I dopingpitoisuuden vähentäminen voi tehokkaasti parantaa PIN-diodin käänteisläpijakojännitettä, mutta vyöhykkeen I läsnäolo parantaa koko laitteen myötäjännitehäviötä VF ja laitteen kytkentäaikaa. jossain määrin, ja piikarbidimateriaalista valmistettu diodi voi korvata nämä puutteet.Piikarbidi 10 kertaa piin kriittinen läpilyöntisähkökenttä, joten piikarbididiodin I vyöhykkeen paksuus voidaan pienentää kymmenesosaan piiputkesta, samalla kun säilytetään korkea läpilyöntijännite yhdistettynä piikarbidimateriaalien hyvään lämmönjohtavuuteen , ei tule ilmeisiä lämmönpoistoongelmia, joten suuritehoisesta piikarbididiodista on tullut erittäin tärkeä tasasuuntaaja nykyaikaisen tehoelektroniikan alalla.
Piikarbididiodilla on erittäin pieni käänteisvuotovirta ja suuri kantoaallon liikkuvuus, joten niillä on suuri vetovoima valosähköisen ilmaisun alalla.Pieni vuotovirta voi vähentää ilmaisimen pimeää virtaa ja vähentää melua;Suuri kantoaallon liikkuvuus voi parantaa tehokkaasti piikarbidin PIN-ilmaisimen (PIN Photodetector) herkkyyttä.Piikarbididiodien suuritehoiset ominaisuudet mahdollistavat PIN-ilmaisimien havaitsemisen voimakkaammat valonlähteet, ja niitä käytetään laajasti avaruusalalla.Suuritehoiseen piikarbididiodiin on kiinnitetty huomiota sen erinomaisten ominaisuuksien vuoksi, ja myös sen tutkimusta on kehitetty suuresti.
Postitusaika: 13.10.2023